IGBT封裝材料技術演進與未來趨勢
隨著碳中和戰(zhàn)略的全球推進，IGBT作為能源轉換的核心器件，其封裝材料技術正迎來新一輪升級。本文將剖析當前主流技術路線，并展望未來五年發(fā)展趨勢。......更多
2025-05-23
第三代半導體封裝材料的革命性突破與產業(yè)化應
隨著碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率器件的快速發(fā)展，封裝材料體系正經(jīng)歷前所未有的技術變革。本文將深度解析新一代封裝材料的關鍵突破及其在高壓大功率場景中的實踐應用。......更多
先進封裝材料在IGBT功率模塊中的創(chuàng)新應用
隨著電力電子設備向高功率密度方向發(fā)展，IGBT封裝材料體系正經(jīng)歷革命性升級。......更多
2025-05-16
Miniled錫膏在先進顯示封裝中的關鍵技術突破
隨著MiniLED顯示技術向更小間距、更高亮度方向發(fā)展，專用錫膏材料成為決定封裝良率和可靠性的核心要素。......更多
無鉛錫膏在MiniLED封裝中的技術革新與應用實踐
隨著全球環(huán)保法規(guī)日趨嚴格和顯示技術不斷升級，無鉛錫膏在MiniLED封裝領域正迎來爆發(fā)式增長。本文將深入分析新一代無鉛錫膏的技術特點、工藝挑戰(zhàn)及產業(yè)化應用現(xiàn)狀。......更多
2025-05-06
賀利氏粗鋁線在IGBT封裝中的創(chuàng)新應用與性能突破
隨著電力電子器件向高壓大電流方向發(fā)展，傳統(tǒng)鍵合技術面臨嚴峻挑戰(zhàn)。賀利氏粗鋁線（直徑300-500μm）憑借其卓越的導電性能和機械可靠性，正在成為大功率IGBT模塊封裝的關鍵互連材料......更多
DTS解決方案：IGBT雙面散熱技術的突破與應用
在電力電子器件功率密度持續(xù)提升的背景下，散熱問題已成為制約IGBT性能的關鍵瓶頸。DTS（Double-sided Thermal Solution）雙面散熱解決方案通過創(chuàng)新性的結構設計，將傳統(tǒng)單面散熱模塊的熱......更多
2025-04-27
鍵合條帶技術——IGBT模塊封裝中的互連革新
在電力電子器件不斷追求高功率密度和高可靠性的背景下，鍵合條帶技術正逐步取代傳統(tǒng)鍵合線，成為IGBT模塊封裝互連的主流方案。本文將深入探討鍵合條帶的技術優(yōu)勢、應用現(xiàn)狀及未......更多
