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IGBT模塊介紹及提高IGBT封裝要求
作者:偉邦材料 發布時間:2021-03-06 16:54 瀏覽次數 :
IGBT是由雙極晶體管(BJT)和絕緣柵場效應晶體管(MOS)組成的復合全控電壓驅動功率半導體器件。它不僅具有MOSFET器件驅動功率低、開關速度快的優點,而且具有雙極器件飽和壓降小、容量大的優點。因此,非常適合于600V及以上交流系統的應用?,F在一般以
IGBT模塊
的形式出現,或者在模塊中集成門極驅動和保護電路,稱為智能功率模塊(IPM)。
隨著科學技術的不斷發展和能源的充分利用,要求器件具有更高的功率密度、更高的工作溫度、更低的功率損耗和更快的開關速度。目前,基于硅(SI)材料的功率器件已不能滿足更高的要求。碳化硅(SIC)和氮化鎵(GAN)材料是第三代寬帶隙半導體功率器件的代表材料,已廣泛應用于電動汽車等領域。車載IGBT模塊除了具有較高的性能和開關頻率外,還應考慮負載、氣候、振動等一系列環境因素。另外,根據國家規定,車用IGBT模塊的壽命要求不低于15年。這一要求除了對芯片的性能提出了更高的要求外,對IGBT模塊本身也提出了更高的要求,同時對
IGBT封裝
也提出了更高的要求。
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