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納米銀性能介紹及研究進展
作者：vbond 發布時間：2020-09-22 10:58 瀏覽次數 :
從上個世紀80年代開端，納米銀已經被許多學者及安排研討。在電子封裝范疇，納米銀的運用研討稍晚。
SEMIKRON公司采用納米銀燒結技術替代傳統的Bongding技術制作出了IGBT模塊，如圖2和圖3所示所示。運用納米銀漿燒結技術后，不但組件的散熱問題，一同使組件的可裝性和可靠性大幅度提高。
微系統的功用、集成工藝、運用及開展等決定于構成微系統的各類材料，這類材料包括半導體材料、封裝基板材料、絕緣材料、導體材料、鍵合聯接材料、封裝材料等。運用納米科技對微系統產品所用的材料進行改進，無疑會改進微系統的功用。微系統集成技術的前進與微系統封裝材料的開展是嚴密相關的。
材料科學實驗證明，當材料顆粒抵達納米級時，其具有很高的外表活性和外表能，這使得納米顆粒的熔點或者說燒結溫度遠低于塊體材料。但其燒結后構成的材料具有和塊體材料相似的熔點和功用。這就使其在微系統集成范疇具有很寬廣的運用遠景。
因金屬銀具有很高的熱導率、出色的導電性、抗腐蝕性及抗蠕變功用，且在執役過程中不存在固態老化現象。特別適合作為大功率產品的組裝材料。使得在許多的納米材料中，納米銀成為研討比較搶手的封裝材料。
納米銀的首要特性之一就是低溫燒結，高溫執役。其燒結溫度可低至150℃，乃至室溫，再次熔化溫度理論上可抵達960℃。這種特性關于復雜微系統產品集成具有明顯優勢，特別是在多級組裝時，不再受溫度梯度的影響。能夠說對微系統產品的集成工藝開展具有跨年代的含義。
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