作者：vbond 發布時間：2025-04-07 13:55 瀏覽次數 :
關鍵材料 芯片：IGBT 芯片是核心部件，其性能（如耐壓、耐流、開關速度等 ）直接決定 IGBT 模塊的整體性能。高質量的芯片需要先進的半導體制造工藝和優質的半導體材料（如硅片 ）。 基板材料：如前面提到的 AMB 覆銅陶瓷基板、DBC 基板等。AMB 覆銅陶瓷基板通過活性金屬釬焊工藝將銅箔與陶瓷牢固結合，具有高導熱性、高絕緣性和良好的機械強度；DBC 基板則是通過高溫熔合工藝將銅箔與陶瓷結合，成本相對較低，在一些對成本敏感的應用中使用較多。 鍵合材料：鍵合線（金線、鋁線、銅線 ）和鍵合焊接材料（如無鉛錫膏、燒結銀 ）。燒結銀具有高導電性、高導熱性和良好的機械穩定性，在高功率 IGBT 模塊中逐漸得到廣泛應用，可有效降低熱阻和電阻，提高模塊性能。 封裝材料：包括絕緣材料（塑料、陶瓷 ）、散熱材料（散熱膏、散熱墊 ）等。散熱膏要求具有高導熱性、低粘度、良好的填充性等特點，能有效填充芯片與散熱器之間的微小間隙，增強熱傳導效率。 關鍵工藝 芯片貼裝工藝：精確控制芯片貼裝位置和壓力，保證芯片與基板的良好接觸和散熱效果。對于共晶焊接工藝，要精準控制焊接溫度、時間和氣氛等參數，確保形成高質量的冶金結合。 鍵合工藝：準確控制鍵合參數（如鍵合溫度、壓力、超聲功率、鍵合時間等 ），保證鍵合線與芯片電極和基板引腳之間的連接強度和電氣性能。不同鍵合材料和鍵合方式對應的工藝參數有所差異，需要根據實際情況進行優化調整。 灌封或塑封工藝：灌封時要控制灌封材料的粘度、流動性和固化條件（溫度、時間 ），確保灌封材料均勻填充內部空間，避免產生氣泡等缺陷；塑封工藝要精確控制注塑模具的溫度、壓力和注塑速度等參數，保證封裝外殼的尺寸精度和內部質量。